工信部发布新版光伏制造行业规范条件 时间：[2018-03-05 ] 信息来源:中证网 

 　　光伏单多晶制造门槛进一步抬高。工信部3月1日发布的新版光伏制造行业规范条件(下称“规范条件”)显示，未来将严格控制新上单纯扩大产能的光伏制造项目，要求新建和改扩建企业的多晶硅项目每期规模不低于3000吨/年，多晶硅电池和单晶硅电池最低光电转换效率分别不低于19%和21%。 　　工信部表示，为加强光伏行业管理，引导产业加快转型升级和结构调整，推动我国光伏产业持续健康发展，根据国家有关法律法规及《国务院关于促进光伏产业健康发展的若干意见》(国发〔2013〕24号)，按照优化布局、调整结构、控制总量、鼓励创新、支持应用的原则，制定此次新版规范条件。 　　按照规范条件，在生产布局与项目设立方面，将严格控制新上单纯扩大产能的光伏制造项目,引导光伏企业加强技术创新、提高产品质量、降低生产成本。新建和改扩建多晶硅制造项目，最低资本金比例为30%，其他新建和改扩建光伏制造项目，最低资本金比例为20%。在生产规模和工艺技术方面，光伏制造企业按产品类型应满足多晶硅项目每期规模不低于3000吨/年、硅锭年产能不低于1000吨、硅棒年产能不低于1000吨、硅片年产能不低于5000万片、晶硅电池年产能不低于200MWp、晶硅电池组件年产能不低于200MWp、薄膜电池组件年产能不低于50MWp、逆变器年产能不低于200MWp(微型逆变器不低于10MWp)等条件。 　　现有光伏制造企业及项目产品则应满足一系列技术指标要求，其中多晶硅电池和单晶硅电池的最低光电转换效率分别不低于18%和19.5%;硅基、铜铟镓硒(CIGS)、碲化镉(CdTe)及其他薄膜电池组件的最低光电转换效率分别不低于8%、13%、12%、10%。 　　新建和改扩建企业及项目产品的技术指标要求则更高：多晶硅电池和单晶硅电池的最低光电转换效率分别不低于19%和21%;硅基、CIGS、CdTe及其他薄膜电池组件的最低光电转换效率分别不低于12%、14%、14%、12%。 　　此外，规范条件要求多晶硅电池组件和单晶硅电池组件衰减率首年分别不高于2.5%和3%，后续每年不高于0.7%，25年内不高于20%;薄膜电池组件衰减率首年不高于5%，后续每年不高于0.4%，25年内不高于15%。 　　在光伏制造项目电耗方面，则应满足以下要求：现有多晶硅项目还原电耗小于60千瓦时/千克，综合电耗小于100千瓦时/千克;新建和改扩建项目还原电耗小于50千瓦时/千克，综合电耗小于80千瓦时/千克。现有硅锭项目平均综合电耗小于8.5千瓦时/千克，新建和改扩建项目小于7千瓦时/千克;如采用多晶铸锭炉生产准单晶或高效多晶产品，项目平均综合电耗的增加幅度不得超过0.5千瓦时/千克。现有硅棒项目平均综合电耗小于45千瓦时/千克，新建和改扩建项目小于40千瓦时/千克。现有多晶硅片项目平均综合电耗小于45万千瓦时/百万片，新建和改扩建项目小于40万千瓦时/百万片;现有单晶硅片项目平均综合电耗小于40万千瓦时/百万片，新建和改扩建项目小于35万千瓦时/百万片。 　　在光伏制造项目生产水耗方面则应满足：多晶硅项目水循环利用率不低于95%;硅片项目水耗低于1400吨/百万片;电池项目水耗低于1500吨/MWp。 　　规范条件还在环境保护、质量管理、安全、卫生、监督与管理等方面提出一系列要求。 　　规范条件自2018年3月1日起实施。